“韩国”HBM设备龙头： 被——批落后

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

专家指出，韩美半导体2029年的混合键合时间表“过于保守”。

韩美半导体已开始量产其用于HBM4的热压键合机（TCB），旨在瞄准由AI工作负载驱动的快速扩张的高带宽内存市场。然而，其混合键合路线图的延迟引发了批评，认为其落后于行业趋势。

TCB4，瞄准HBM4需求激增

随着SK海力士、三星电子和美光计划于2025年末提升HBM4的产量，韩美的升级版TCBonder4进入量产，成为一种经济高效、高精度的工具。TCB4于2024年5月推出原型机，目前已准备好批量出货，并得到了完善的生产线的支持。

HBM4的性能超越HBM3E，数据传输速度提升60%，功耗降低30%。它支持多达16层的堆叠，每die容量从24Gb扩展到32Gb。TSVI/O数量翻倍至2,048个，显著提升了内存到处理器的带宽。

TCB4在键合精度和结构稳定性方面进行了重大升级，以应对HBM4的复杂堆叠。软件也得到了改进，以提供更好的用户体验。韩美没有采用无助焊剂键合，而是改进了现有架构，以降低成本并加速市场进入。

据Hellot.net报道，韩美组建了一个名为“银凤凰”（SilverPhoenix）的专门团队来支持TCB4的推出，该团队由50多名专家组成，专注于客户支持、维护和下一代产品开发。

混合键合路线图，太慢了？

尽管韩美目前的TCB战略使其能够应对HBM4和HBM5的即时需求，但其针对无助焊剂和混合键合工具的长期路线图引发了担忧。根据其公布的日程：

用于HBM5的TCB5将于2027年推出

用于HBM6的无助焊剂TCB将于2028年推出

用于HBM7的混合键合机将于2029年推出

行业分析师警告称，韩美存在落后的风险，因为其荷兰竞争对手BESemiconductorIndustries(Besi)已经从三家主要HBM供应商中的两家获得了混合键合机订单——这清楚地表明混合键合的转型正在加速。

混合键合主要用于实现不同芯片之间的高密度、高性能互联。这种技术的关键特征是通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球（bump）互连，从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装，达到三维集成的目的。

在混合键合工艺中，两个或多个芯片的金属层（通常是铜层）被精密对准并直接压合在一起，形成直接电学接触。为了保证良好的连接效果，需要在芯片表面进行特殊的处理，例如沉积一层薄且均匀的介电材料（如SiO2或SiCN），并在其上制备出微米甚至纳米级别的铜垫和通孔（TSV）。这些铜垫和通孔将芯片内部的电路与外部相连，使得数据传输速度更快、功耗更低，同时极大地提升了芯片的集成度。

Besi的2025年第一季度报告证实了与HBM4相关的混合键合机订单，标志着从逻辑到内存应用的转变。据报道，Besi和韩国的韩华半导体都在竞相开发无助焊剂TCB工具，旨在从SK海力士等主要厂商那里获得合同。

TheElec报道称，Besi和ASMPT也正在量产无助焊剂键合工具，据称美光已经收到了来自Besi的此类设备。

一位半导体封装专家在Greened.kr上表示，韩美2029年的混合键合时间表“过于保守”，并指出全球竞争对手已经在使用该技术。

韩美半导体，战略性延迟？

韩美可能正在刻意放慢脚步。今年1月，该公司在仁川动工建设其第七工厂，该工厂此后已被重新归类为仅用于混合键合的工厂。该设施将作为未来键合平台的研发和客户验证中心。

一位业内人士认为，延迟可能是战略性的，因为JEDEC放宽了HBM4堆叠高度标准，这给了内存制造商延长使用TCB方法的余地，为韩美赢得了优化性能和降低成本的时间。

即便如此，如果内存制造商加速采用混合键合来解决未来HBM节点中的散热和堆叠挑战，韩美对升级后的传统技术的依赖可能会损害其长期优势。

韩美半导体成立于1980年，长期以来专注于半导体后道工艺（封装）设备的研发与生产。其核心产品涵盖了热压键合、晶圆级封装设备、引线键合机等，尤其在先进封装领域，韩美半导体以其在垂直堆叠和精密连接方面的技术实力而闻名，已成为全球重要的供应商之一，服务于各大存储器厂商和晶圆代工厂。

BeSemiconductor是全球半导体和电子行业半导体组装设备的领先供应商，以低拥有成本提供高水平的精度、生产力和可靠性。

BesiBesi为铅框、基板和晶圆级封装应用开发领先的组装工艺和设备，涵盖广泛的终端用户市场，包括电子、移动互联网、计算机、汽车、工业、LED和太阳能等。客户主要是领先的半导体制造商、组装分包商以及电子和工业公司。

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