“北方华创”发布12英寸先：进低压化学气相硅沉积立、式炉设备

SICRIUSPY302系列设备已通过多家晶圆厂严格验证，在先进逻辑与存储芯片制造中实现规模量产。

近日，北方华创正式发布SICRIUSPY302系列12英寸低压化学气相硅沉积立式炉设备。该设备面向高端逻辑芯片与存储芯片领域非晶硅、多晶硅薄膜沉积技术，成功攻克高深宽比结构填充、高平坦度薄膜生长和兼容低温工艺三大技术瓶颈，标志着北方华创在高端半导体装备领域持续取得关键技术突破。

在三维集成芯片制造成为主流的今天，堆叠层数的增加带来了更高的深宽比要求，这使得垂直结构填充面临挑战。传统填充工艺容易产生孔洞，从而导致器件失效。SICRIUSPY302系列设备通过其低压反应腔技术和多区独立高精度温控系统，实现了自下而上的无缺陷填充，确保了高台阶覆盖率。这一技术突破为逻辑芯片和存储芯片等头部企业的量产需求提供了坚实保障。

在高端芯片栅极制造中，实现薄膜的高平坦度是一项关键挑战。SICRIUSPY302系列设备采用全自主设计的全石英腔室与高精度温度控制加热器，结合气体流场与热场协同控制算法，将膜厚均匀性和表面粗糙度控制在原子级，显著提升晶体管电性稳定性。同时，该设备集成了多种硅源前驱体，并实现了原位清洗、原位刻蚀和多元素掺杂等先进工艺功能，从而大幅降低了器件的缺陷率。

目前，SICRIUSPY302系列设备已通过多家领先晶圆厂的严格验证，在先进逻辑与存储芯片制造中实现了规模量产，并持续获得重复订单，为半导体制造企业提供了高效、可靠的设备解决方案。

北方华创2024年薄膜沉积设备收入超100亿元

薄膜沉积设备作为半导体制造的核心装备，通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、外延生长（EPI）、电化学沉积（ECP）及原子层沉积（ALD）等技术，在基底表面精准构筑纳米级功能膜层，这些膜层在芯片中扮演重要的角色。根据权威机构数据，2023年薄膜沉积设备在集成电路设备资本支出中的占比为22.1%。

2024年北方华创薄膜沉积设备收入超100亿元，并且已经形成了物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、外延和电镀设备的全系列布局。

根据年度报告披露的信息，目前北方华创批量销售的化学气相沉积主要包括：

12英寸等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）：主要用于12英寸逻辑、存储芯片氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、碳氮化硅等多种高品质介质薄膜沉积，可满足对钝化层、隔离层、抗反射层、刻蚀停止层等多样化的应用需求。该设备可实现高均匀性、高产能的薄膜沉积，工艺一致性更好、可靠性更高。

12英寸高密度等离子体化学气相沉积设备（HDPCVD）：主要用于12英寸逻辑、存储芯片介质填充工艺。该设备通过同时进行沉积和刻蚀的工艺方式，有效完成高深宽比沟槽的介质填充，具备高沉积速率、优异的填孔能力和高致密的薄膜质量等优势。

12英寸低压化学气相沉积设备（LPCVD）：主要用于12英寸逻辑、存储芯片接触孔和通孔填充。该设备通过精确的温度、气体脉冲时间和压力控制，实现高深宽比结构填充需求。

8英寸金属有机化学气相沉积设备（MOCVD）：主要用于功率、射频、光电子、Micro-LED、高效光伏等器件中的外延生长。

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