高通放弃三星代工 第二代骁龙8至尊版芯片全：{由；台积电}代工

本文由半导体产业纵横（ID：ICVIEWS）综合

代工大战一触即发。

有博主在X平台发布推文，曝料称高通已取消了三星的2纳米工艺代工计划，不再委托其生产第二代骁龙8至尊版芯片。

高通内部列表中，此前对第二代骁龙8至尊版芯片（基础型号编号SM8850），有2个版本：一种是台积电制造的3纳米版本（编号为8850-T），另一种是三星基于2纳米技术制造的版本（编号为8850-S）。

骁龙8Elite2是高通下一代旗舰移动处理器，预计于2025年9月底发布。其采用台积电第三代3纳米（N3P）工艺，CPU为第二代自研Oryon架构，2+6全大核设计，主频达4.4GHz。GPU为Adreno840，独立缓存16MB，图形性能提升约30%。它还支持SME等指令集，AI性能强劲。整体性能相比上一代显著提升，有望由小米16系列首发搭载。

而最新消息称高通内部已不再区分版本，只剩下基础的SM8850型号，推测指的是台积电制造的3纳米芯片。

科技媒体AndroidHeadline观点，认为从种种迹象表明，高通第二代骁龙8至尊版可能完全依赖台积电代工。高通上调了第二代骁龙8至尊版芯片原型的价格，现在对感兴趣的公司来说，成本高达15000美元。消息源还透露高通正在研发SM8845芯片，预估为骁龙8sGen5芯片，但目前尚不清楚具体规格细节。

另外，三星将代工生产部分高通骁龙8Elite2芯片，工艺升级为2纳米制程的三星SF2，套片报价比台积电3纳米版本更低，或将于明年上线。

三星对其2纳米工艺已有完整布局，包括SF2、SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A等多个节点。其中，SF2为首个实现量产的2纳米工艺节点。相比上一代，该工艺在性能方面提升12%，能效提升25%。同时，SF2采用了GAA技术，中文名称为“全环绕栅极”晶体管架构。相关信息表明，GAA架构在性能和制造良率方面正在不断成熟。

至于更先进的1.4纳米，三星原定于今年第二季度动工的1.4纳米测试线建设计划已被推迟，预计投资将延后至今年年底或最早明年上半年。这一调整意味着三星原计划于明年开始提供的1.4纳米工艺服务可能会延期，业界预计其量产时间可能推迟至2028年左右。

推迟投资决策的主要原因是三星晶圆代工业务面临的市场低迷，今年第一季度，三星晶圆代工部门录得约2万亿韩元的亏损。由于客户订单减少和销售额下滑，三星已将其年初约10万亿韩元的年度设备投资计划削减至约5万亿韩元，采取更为保守的投资和管理策略。面对市场压力，三星电子现阶段将重心转向“强化内部结构”，集中人力和投资资源于计划于今年年底量产的2纳米工艺上。

三星2纳米制程已进入关键节点——为GalaxyS26系列定制的Exynos2600芯片已启动原型量产，目标是在不牺牲性能的前提下将良率提升至50%以上。若达成这一目标，三星计划于2026年初开启全面量产。

值得注意的是，三星2纳米工艺的良率提升颇具挑战性。今年初的初始测试量产中，其良率仅约30%，目前的良率已达到40%，而此次50%的目标若实现，将较初期提升20个百分点。这一进展被视为三星Foundry的重要里程碑，尤其是对比其3纳米工艺——即便量产三年，良率仍徘徊在50%左右。作为三星2纳米技术的“试金石”，Exynos2600的性能与良率将直接影响业界对其下一代制程的信心。若能成功量产，三星有望凭借Exynos芯片重新与高通骁龙形成竞争，进一步控制成本。

尽管台积电当前良率领先，但三星正通过技术迭代缩小差距。三星寄望于3纳米GAA架构的经验积累，加速2纳米良率提升，并挖角台积电前高管韩美玲（MargaretHan）执掌晶圆代工部门，试图复制台积电的管理经验。而台积电则凭借成熟的良率和客户信任度，巩固其龙头地位。

业内分析指出，2纳米制程的竞争不仅关乎技术实力，更直接影响半导体产业链的话语权。三星若能将良率稳定在50%以上，有望以成本优势吸引NVIDIA、高通等客户作为备选供应商，而台积电则凭借更高良率和产能保障，继续占据主流订单。随着两家巨头在2025年下半年陆续投产2纳米，一场围绕高性能芯片的“代工大战”已一触即发。

*声明：本文系原作者创作。文章内容系其个人观点，我方转载仅为分享与讨论，不代表我方赞成或认同，如有异议，请联系后台。

想要获取半导体产业的前沿洞见、技术速递、趋势解析，关注我们！