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新版JESD209-6LPDDR6标准是内存技术的重大进步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

JEDEC固态技术协会发布JESD209-6，即最新的低功耗双倍数据速率6（LPDDR6）标准。JESD209-6旨在显著提升多种应用场景（包括移动设备和人工智能）的内存速度与效率。JEDEC称，新版JESD209-6LPDDR6标准是内存技术的重大进步，在性能、能效和安全性方面均有提升。

高性能

为支持人工智能应用及其他高性能工作负载，LPDDR6采用双子通道架构，在保持32字节小访问粒度的同时实现灵活操作。此外，LPDDR6的主要特性还包括：

每颗芯片含2个子通道，每个子通道有12条数据信号线（DQs），以优化通道性能。

每个子通道包含4条命令/地址（CA）信号，经优化减少焊球数量并提高数据访问速度。

静态效率模式，旨在支持大容量内存配置并最大化存储体资源利用率。

灵活的数据访问，支持实时突发长度控制，可实现32B和64B访问。

动态写入NT-ODT（非目标片上终端），使内存能根据工作负载需求调整ODT，提升信号完整性。

能效

为满足不断增长的能效需求，与LPDDR5相比，LPDDR6采用更低电压和低功耗的VDD2供电，并强制要求VDD2采用双电源设计。其他节能特性包括：

采用交替时钟命令输入，提升性能与效率。

低功耗动态电压频率调节（DVFSL），在低频运行时降低VDD2电压，减少功耗。

动态效率模式，在低功耗、低带宽场景下采用单子通道接口。

支持部分自刷新和主动刷新，降低刷新功耗。

安全性与可靠性

相较于上一版本标准，安全性和可靠性方面的改进包括：

每行激活计数（PRAC），支持DRAM数据完整性。

定义隔离元模式，通过为关键任务分配特定内存区域，提升整体系统可靠性。

支持可编程链路保护方案和片上纠错码（ECC）。

能够支持命令/地址（CA）奇偶校验、错误清理以及内存内置自测试（MBIST），增强错误检测能力和系统可靠性。

日前，三星电子设备解决方案（DS）部门副董事长全永铉宣布，三星将于今年下半年通过第六代“1cDRAM”工艺量产下一代LPDDR6内存，并计划向高通等科技巨头供货。

据悉，1cDRAM是DRAM制造的第六代工艺节点，相比前代技术，其晶体管密度更高、能效比更优。三星通过“设计变更”战略，将1cDRAM的冷态良率提升至50%，热态良率达60%-70%，并计划在韩国华城工厂建设新生产线，扩大产能。LPDDR6内存基于1c工艺开发，带宽和功耗表现显著提升，可满足AI模型训练、移动终端算力升级等场景对内存性能的严苛需求。

据行业消息，高通下一代旗舰芯片“骁龙8EliteGen2”将首发支持LPDDR6内存，并计划于今年9月23日的骁龙峰会上亮相。

随着AI应用向终端设备下沉，LPDDR6内存的带宽与能效成为关键竞争力。三星计划通过向高通等厂商供货，进一步渗透智能手机、笔记本电脑及AI服务器市场，强化其技术壁垒。此外，三星还在HBM4等高端存储产品中部署1cDRAM技术，构建覆盖AI全场景的内存解决方案。

目前，三星已制定1cDRAM扩产计划，预计最早于今年年底完成韩国华城工厂生产线建设。此外，该公司正同步开发DDR与LPDDR用1cDRAM，打破传统开发顺序，加速商业化进程。

LPDDR6将取代现有的LPDDR5内存及其衍生版本，而LPDDR5标准早在2019年就已经发布。距离LPDDR5标准问世已有将近五年时间，在这段时间里，三星和美光推出了LPDDR5x，SK海力士也推出了LPDDR5T，其传输速率高达9.6Gbps。这些低功耗的DRAM内存非常适合智能手机、轻薄型设备甚至笔记本电脑/迷你台式机等强调低功耗的设备。

采用LPDDR5(X/T)规格的内存模组正越来越多地出现在各种产品中。例如，LPCAMM2模组凭借其小巧的模块化外形尺寸、更大的容量和更高的可升级性，将彻底改变PC内存市场。

此外，最近上市的LPCAMM2模组采用了LPDDR5(X/T)的变种，由于其小巧的模块化外形尺寸，能够提供更大的容量和可升级性，将改变PC市场格局。

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